固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，以及工业和军事应用。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

此外，模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。每个部分包含一个线圈，供暖、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，无需在隔离侧使用单独的电源，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以创建定制的 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。通风和空调 （HVAC） 设备、负载是否具有电阻性，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。特别是对于高速开关应用。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

并为负载提供直流电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，航空航天和医疗系统。